SI8900EDB-T2-E1
SI8900EDB-T2-E1
部品型番:
SI8900EDB-T2-E1
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
30236 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI8900EDB-T2-E1.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):1V @ 1.1mA
サプライヤデバイスパッケージ:10-Micro Foot™ CSP (2x5)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):-
電力 - 最大:1W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:10-UFBGA, CSPBGA
他の名前:SI8900EDB-T2-E1TR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:13 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:-
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):5.4A
ベース部品番号:SI8900
Email:[email protected]

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