SI3475DV-T1-GE3
- 部品型番:
- SI3475DV-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 42547 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- SI3475DV-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSOP |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| 電力消費（最大）: | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 他の名前: | SI3475DV-T1-GE3CT |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 500pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 18nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 200V |
| 詳細な説明: | P-Channel 200V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 950mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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