SI3475DV-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI3475DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 42547 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI3475DV-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3475DV-T1-GE3CT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| Description détaillée: | P-Channel 200V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 950mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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