状況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
出典 | Contact us |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 40V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 1.15V @ 8mA, 800mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 2.2 kOhms |
電力 - 最大: | 700mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
他の名前: | 934059138126 PBRN123YS AMO PBRN123YS AMO-ND |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 500 @ 300mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 800mA |
ベース部品番号: | PBRN123 |
Email: | [email protected] |