状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 40V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 115mV @ 200mA, 2A |
トランジスタ型式: | NPN, PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 653mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 100MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 180 @ 1A, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 3A |
Email: | [email protected] |