NSV40302PDR2G
- Modèle de produit:
- NSV40302PDR2G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 49693 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NSV40302PDR2G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 115mV @ 200mA, 2A |
| Transistor Type: | NPN, PNP |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 653mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 1A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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