状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET™ MQ |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
電力消費(最大): | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric MQ |
他の名前: | SP001525412 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2270pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 7V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | N-Channel 30V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 12A (Ta), 49A (Tc) |
Email: | [email protected] |