状況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET™ MT |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.8 mOhm @ 26A, 10V |
電力消費(最大): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric MT |
他の名前: | IRF6601TR |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3440pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | N-Channel 20V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 26A (Ta), 85A (Tc) |
Email: | [email protected] |