状況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 180µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大): | 214W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | IPI06CN10N G-ND IPI06CN10NG SP000208924 SP000680668 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 9200pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 139nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
詳細な説明: | N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |