状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 150µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ CE |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 650 mOhm @ 1.8A, 13V |
電力消費(最大): | 69W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD50R650CEATMA1-ND IPD50R650CEATMA1TR SP001117708 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 342pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 13V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 500V |
詳細な説明: | N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |