FQP10N20C
- 部品型番:
- FQP10N20C
- メーカー:
- 説明:
- MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 24727 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - テスト: | 510pF @ 25V |
| 電圧 - ブレークダウン: | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs（最大）: | 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | QFET® |
| RoHSステータス: | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 9.5A (Tc) |
| 偏光: | TO-220-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
| 製造元の部品番号: | FQP10N20C |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 26nC @ 10V |
| IGBTタイプ: | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 200V |
| 静電容量比: | 72W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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