FDC655BN_NBNN007
部品型番:
FDC655BN_NBNN007
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
64016 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDC655BN_NBNN007.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SuperSOT™-6
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):25 mOhm @ 6.3A, 10V
電力消費(最大):800mW
パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:620pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:13nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:N-Channel 30V 6.3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6.3A
Email:[email protected]

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