VWM200-01P
- Modello di prodotti:
- VWM200-01P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 8070 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- VWM200-01P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 2mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | V2-PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | V2-PAK |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 430nC @ 10V |
| Tipo FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 210A |
| Email: | [email protected] |
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