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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR412200A
UNR412200A
UNR412200A
Modello di prodotti:
UNR412200A
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
67277 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
UNR412200A.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:NS-B1
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:3-SSIP
Altri nomi:UNR412200ACT
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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