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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR412200A
UNR412200A
UNR412200A
Modèle de produit:
UNR412200A
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
67277 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
UNR412200A.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:NS-B1
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:3-SSIP
Autres noms:UNR412200ACT
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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