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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR42160RA
UNR42160RA
UNR42160RA
Modello di prodotti:
UNR42160RA
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
73693 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
UNR42160RA.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:NS-B1
Serie:-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:NS-B1
Altri nomi:UNR42160RACT
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:150MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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