TPC8062-H,LQ(CM
- Modello di prodotti:
- TPC8062-H,LQ(CM
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 43345 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.TPC8062-H,LQ(CM.pdf2.TPC8062-H,LQ(CM.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 300µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP |
| Serie: | U-MOSVII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi: | TPC8062-HLQ(CM TPC8062HLQCM |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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