TPC8113(TE12L,Q)
Modello di prodotti:
TPC8113(TE12L,Q)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
76000 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.TPC8113(TE12L,Q).pdf2.TPC8113(TE12L,Q).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:107nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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