TK14G65W5,RQ
TK14G65W5,RQ
Modello di prodotti:
TK14G65W5,RQ
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
70814 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TK14G65W5,RQ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 6.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):130W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:TK14G65W5,RQ(S
TK14G65W5RQTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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