TK14C65W,S1Q
TK14C65W,S1Q
Modello di prodotti:
TK14C65W,S1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
39404 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TK14C65W,S1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs:250 mOhm @ 6.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):130W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q(S2
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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