SSM6N35FE,LM
- Modello di prodotti:
- SSM6N35FE,LM
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 52527 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.SSM6N35FE,LM.pdf2.SSM6N35FE,LM.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SSM6N35FE(TE85L,F) SSM6N35FE(TE85LF)TR SSM6N35FE(TE85LF)TR-ND SSM6N35FE,LM(B SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FELMTR SSM6N35FETE85LF |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.5pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180mA |
| Numero di parte base: | SSM6N35 |
| Email: | [email protected] |
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