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EPC2010CENGR
EPC2010CENGR
Modello di prodotti:
EPC2010CENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16881 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2010CENGR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:380pF @ 100V
Tensione - Ripartizione:Die Outline (7-Solder Bar)
Vgs (th) (max) a Id:25 mOhm @ 12A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs:22A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-EPC2010CENGRTR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2010CENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3.7nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 3mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2010CENGR

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Inchiesta
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