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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMG8880LSS-13
DMG8880LSS-13
DMG8880LSS-13
Modello di prodotti:
DMG8880LSS-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
34354 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMG8880LSS-13.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.43W (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:1034-DMG8880LSS-13DICT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1289pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 11.6A (Ta) 1.43W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11.6A (Ta)
Email:[email protected]

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