DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
Modello di prodotti:
DMG8601UFG-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
77531 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMG8601UFG-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:1.05V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:U-DFN3030-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potenza - Max:920mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerUDFN
Altri nomi:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.1A
Numero di parte base:DMG8601UFG
Email:[email protected]

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