Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT84M50L
APT84M50L
APT84M50L
Modello di prodotti:
APT84M50L
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
68393 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT84M50L.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply APT84M50L, use the request quote form to request APT84M50L pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT84M50L.The price and lead time for APT84M50L depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT84M50L.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-264
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 42A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1135W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
Altri nomi:APT84M50LMI
APT84M50LMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:340nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per APT84M50L

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APT84M50B2 Image APT84M50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX Inchiesta
APT85GR120B2 Image APT85GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO247 Inchiesta
APT80GA90B Image APT80GA90B Microsemi IGBT 900V 145A 625W TO247 Inchiesta
APT84F50L Image APT84F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 Inchiesta
APT84F50B2 Image APT84F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 84A TO-247 Inchiesta
APT94N65B2C3G Image APT94N65B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 Inchiesta
APT94N60L2C3G Image APT94N60L2C3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 94A TO264 Inchiesta
APT85GR120J Image APT85GR120J Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP Inchiesta
APT85GR120JD60 Image APT85GR120JD60 Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP Inchiesta
APT80GP60J Image APT80GP60J Microsemi IGBT 600V 151A 462W SOT227 Inchiesta
APT80SM120S Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT80SM120B Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT80SM120J Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT8DQ60KCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 Inchiesta
APT85GR120L Image APT85GR120L Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO264 Inchiesta
APT8M80K Microsemi MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 Inchiesta
APT80M60J Image APT80M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 Inchiesta
APT80GA90LD40 Image APT80GA90LD40 Microsemi IGBT 900V 145A 625W TO-264 Inchiesta
APT8M100B Image APT8M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Inchiesta
APT90DR160HJ Image APT90DR160HJ Microsemi DIODE MODULE 1.6V SOT227 Inchiesta

Latest Notizie