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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APT75GN120JDQ3G
APT75GN120JDQ3G
APT75GN120JDQ3G
Modello di prodotti:
APT75GN120JDQ3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
72582 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT75GN120JDQ3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.1V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:-
Potenza - Max:379W
Contenitore / involucro:ISOTOP
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:4.8nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Cutoff collettore (max):200µA
Corrente - collettore (Ic) (max):124A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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Parti relative per APT75GN120JDQ3G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APT75DL120HJ Image APT75DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 Inchiesta
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APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Inchiesta
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Inchiesta
APT75GP120B2G Image APT75GP120B2G Microsemi IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Inchiesta
APT75GN60BG Image APT75GN60BG Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO247 Inchiesta
APT75GT120JU2 Image APT75GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Inchiesta
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