Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > APT75DQ100BG
APT75DQ100BG
APT75DQ100BG
Modello di prodotti:
APT75DQ100BG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
66988 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APT75DQ100BG.pdf2.APT75DQ100BG.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply APT75DQ100BG, use the request quote form to request APT75DQ100BG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT75DQ100BG.The price and lead time for APT75DQ100BG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT75DQ100BG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Picco inversa (max):Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:75A
Tensione - Ripartizione:TO-247 [B]
Serie:-
Stato RoHS:Tube
Tempo di ripristino inverso (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F:-
Polarizzazione:TO-247-2
Altri nomi:APT75DQ100BGMI
APT75DQ100BGMI-ND
Temperatura di funzionamento - Giunzione:250ns
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT75DQ100BG
Descrizione espansione:Diode Standard 1000V (1kV) 75A Through Hole TO-247 [B]
Configurazione diodo:100µA @ 1000V
Descrizione:DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
Corrente - Dispersione inversa a Vr:3V @ 75A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):1000V (1kV)
Capacità a Vr, F:-55°C ~ 175°C
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per APT75DQ100BG

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Inchiesta
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 Inchiesta
APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 Inchiesta
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT75GN120B2G Image APT75GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TMAX Inchiesta
APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 Inchiesta
APT75DL120HJ Image APT75DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 Inchiesta
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Inchiesta
APT75DL60HJ Image APT75DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 Inchiesta
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Inchiesta
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Inchiesta
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC Inchiesta
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Inchiesta
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Inchiesta
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Inchiesta
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Inchiesta
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 Inchiesta
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Inchiesta
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 Inchiesta

Latest Notizie