Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT75GN60BG
APT75GN60BG
APT75GN60BG
Modello di prodotti:
APT75GN60BG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 600V 155A 536W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
56841 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APT75GN60BG.pdf2.APT75GN60BG.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply APT75GN60BG, use the request quote form to request APT75GN60BG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT75GN60BG.The price and lead time for APT75GN60BG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT75GN60BG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.85V @ 15V, 75A
Condizione di test:400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:47ns/385ns
di scambio energetico:2500µJ (on), 2140µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 [B]
Serie:-
Potenza - Max:536W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
carica gate:485nC
Descrizione dettagliata:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
Corrente - collettore Pulsed (Icm):225A
Corrente - collettore (Ic) (max):155A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per APT75GN60BG

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APT75GN120B2G Image APT75GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TMAX Inchiesta
APT75M50B2 Image APT75M50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Inchiesta
APT75GN60LDQ3G Image APT75GN60LDQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Inchiesta
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Inchiesta
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Inchiesta
APT75GT120JU2 Image APT75GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Inchiesta
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 Inchiesta
APT77N60BC6 Image APT77N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 Inchiesta
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Inchiesta
APT75M50L Image APT75M50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Inchiesta
APT75GP120B2G Image APT75GP120B2G Microsemi IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Inchiesta
APT75GT120JU3 Image APT75GT120JU3 Microsemi POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 Inchiesta
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Inchiesta
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Inchiesta
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Inchiesta
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Inchiesta
APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 Inchiesta
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Inchiesta
APT75GT120JRDQ3 Image APT75GT120JRDQ3 Microsemi IGBT 1200V 97A 480W SOT227 Inchiesta
APT75GP120J Image APT75GP120J Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Inchiesta

Latest Notizie