État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | VS-6 (2.9x2.8) |
Séries: | U-MOSIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 59 mOhm @ 2.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 700mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms: | TPC6109-H(TE85L,F) TPC6109-H(TE85LFMTR TPC6109-HTE85LFTR TPC6109-HTE85LFTR-ND |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.3nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
Description détaillée: | P-Channel 30V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5A (Ta) |
Email: | [email protected] |