TPC6008-H(TE85L,FM
- Modèle de produit:
- TPC6008-H(TE85L,FM
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 60752 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | VS-6 (2.9x2.8) |
| Séries: | U-MOSVI-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 700mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | TPC6008-H(TE85LFM TPC6008HTE85LFM |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 5.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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