TH58BYG2S3HBAI4
- Modèle de produit:
- TH58BYG2S3HBAI4
- Fabricant:
- Toshiba Memory America, Inc.
- La description:
- 4G SLC NAND BGA 24NM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 9913 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TH58BYG2S3HBAI4.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | - |
| La technologie: | FLASH - NAND (SLC) |
| Package composant fournisseur: | 63-TFBGA (9x11) |
| Séries: | Benand™ |
| Package / Boîte: | 63-VFBGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Gb (512M x 8) |
| Interface mémoire: | - |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
| Email: | [email protected] |
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