SICRF10650
- Modèle de produit:
- SICRF10650
- La description:
- DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 54606 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SICRF10650.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | ITO-220AC |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Package / Boîte: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Autres noms: | 1655-1954 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole ITO-220AC |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 10A |
| Capacité à Vr, F: | 695pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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