SICRF10650
- Modelo do Produto:
- SICRF10650
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 54606 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SICRF10650.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.7V @ 10A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 650V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | ITO-220AC |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Outros nomes: | 1655-1954 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição detalhada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole ITO-220AC |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100µA @ 650V |
| Atual - rectificada média (Io): | 10A |
| Capacitância @ Vr, F: | 695pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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