SI9945BDY-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI9945BDY-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 73736 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI9945BDY-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Puissance - Max: | 3.1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 665pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.3A |
| Numéro de pièce de base: | SI9945 |
| Email: | [email protected] |
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