Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
Power - Max: | 3.1W |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Outros nomes: | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 665pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET: | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.3A |
Número da peça base: | SI9945 |
Email: | [email protected] |