État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±12V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PowerPAK® 1212-8 |
Séries: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | PowerPAK® 1212-8 |
Autres noms: | SI7601DN-T1-GE3CT |
Température de fonctionnement: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1870pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
Description détaillée: | P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |