SI1035X-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI1035X-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N/P-CH 20V SC-89
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 58567 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI1035X-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 400mV @ 250µA (Min) |
| Package composant fournisseur: | SC-89-6 |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Puissance - Max: | 250mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | SI1035X-T1-GE3TR SI1035XT1GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.75nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 180mA, 145mA |
| Numéro de pièce de base: | SI1035 |
| Email: | [email protected] |
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