RW1C025ZPT2CR
RW1C025ZPT2CR
Modèle de produit:
RW1C025ZPT2CR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
60883 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.RW1C025ZPT2CR.pdf2.RW1C025ZPT2CR.pdf3.RW1C025ZPT2CR.pdf4.RW1C025ZPT2CR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-WEMT
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:RW1C025ZPT2CRDKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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