État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur: | ES6 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | - |
Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
Puissance - Max: | 100mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms: | RN4990FE(T5L,F,T) RN4990FE(T5LFT)TR RN4990FE(T5LFT)TR-ND RN4990FE,LF(CT RN4990FELF(CBTR RN4990FELF(CTTR RN4990FELF(CTTR-ND |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 250MHz, 200MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |