État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur: | US6 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
Puissance - Max: | 200mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms: | RN4985(T5L,F,T) RN4985(T5LFT)TR RN4985(T5LFT)TR-ND RN4985,LF(CB RN4985LF(CBTR RN4985LF(CBTR-ND RN4985LF(CT RN4985LF(CTTR RN4985T5LFT |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 250MHz, 200MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |