Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6007ENX
R6007ENX
R6007ENX
Modèle de produit:
R6007ENX
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
74480 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
R6007ENX.pdf
Enquête

introduction

We can supply R6007ENX, use the request quote form to request R6007ENX pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6007ENX.The price and lead time for R6007ENX depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6007ENX.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220FM
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max):40W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes R6007ENX

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Enquête
R6008ANX Image R6008ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Enquête
R6009KNJTL Image R6009KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 Enquête
R6008FNX Image R6008FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Enquête
R60060-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R60060-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R6009ENJTL Image R6009ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A LPT Enquête
R6009KNX Image R6009KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Enquête
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT Enquête
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 Enquête
R60100-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Enquête
R6009ENX Image R6009ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Enquête
R60060-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R6007KNX Image R6007KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM Enquête
R6008FNJTL Image R6008FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A LPTS Enquête
R60060-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R6006ANX Image R6006ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM Enquête
R60060-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R6006ANDTL Image R6006ANDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A CPT Enquête
R60060-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête

Latest Nouvelles