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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PQMD13Z
PQMD13Z
PQMD13Z
Modèle de produit:
PQMD13Z
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
76326 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PQMD13Z.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:DFN1010B-6
Séries:Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:350mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:6-XFDFN Exposed Pad
Autres noms:1727-2710-6
568-13231-6
568-13231-6-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:230MHz, 180MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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