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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ
Modèle de produit:
PMXB350UPEZ
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
78781 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PMXB350UPEZ.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1010D-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:3-XDFN Exposed Pad
Autres noms:1727-1473-1
568-10944-1
568-10944-1-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:116pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

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