Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMXB40UNEZ
PMXB40UNEZ
PMXB40UNEZ
Modèle de produit:
PMXB40UNEZ
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12062 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PMXB40UNEZ.pdf
Enquête

introduction

We can supply PMXB40UNEZ, use the request quote form to request PMXB40UNEZ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMXB40UNEZ.The price and lead time for PMXB40UNEZ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMXB40UNEZ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Test:556pF @ 10V
Tension - Ventilation:DFN1010D-3
Vgs (th) (Max) @ Id:45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2A (Ta)
Polarisation:3-XDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:PMXB40UNEZ
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11.6nC @ 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:900mV @ 250µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12V
Ratio de capacité:400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes PMXB40UNEZ

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 Enquête
CSD13383F4T Luminary Micro / Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR Enquête
PMXB120EPE Image PMXB120EPE Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN Enquête
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN Enquête
PMXB75UPEZ Image PMXB75UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G Enquête
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN Enquête
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Enquête
PMXB65ENEZ Image PMXB65ENEZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Enquête
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN Enquête
PMXB65UPEZ Image PMXB65UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G Enquête
PMXB56ENZ Image PMXB56ENZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G Enquête
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN Enquête
CSD17553Q5A Luminary Micro / Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON Enquête
PMXB40UNEZ Image PMXB40UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Enquête
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 Enquête
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G Enquête
FDV304P_NB8U003 AMI Semiconductor / ON Semiconductor MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 Enquête
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN Enquête
PMXB40UNE Image PMXB40UNE Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Enquête
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 Enquête

Latest Nouvelles