状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 950mV @ 250µA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DFN1010D-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
電力消費(最大): | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 3-XDFN Exposed Pad |
他の名前: | 1727-1473-1 568-10944-1 568-10944-1-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 116pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.3nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.2V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | P-Channel 20V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |