NTTFS6H850NTAG
- Modèle de produit:
- NTTFS6H850NTAG
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRENCH 8 80V NFET
- quantité disponible:
- 68388 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NTTFS6H850NTAG.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 70µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerWDFN |
| Autres noms: | NTTFS6H850NTAG-ND NTTFS6H850NTAGOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 40 Weeks |
| Statut sans plomb: | Lead free |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1140pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 80V |
| Description détaillée: | N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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