NTTFS6H850NTAG
- Modello di prodotti:
- NTTFS6H850NTAG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRENCH 8 80V NFET
- quantità disponibile:
- 68388 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- NTTFS6H850NTAG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 70µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi: | NTTFS6H850NTAG-ND NTTFS6H850NTAGOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 40 Weeks |
| Stato senza piombo: | Lead free |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1140pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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