NTGD4167CT1G
- Modèle de produit:
- NTGD4167CT1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 53738 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NTGD4167CT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 900mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | NTGD4167CT1GOSCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 30 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 295pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.6A, 1.9A |
| Numéro de pièce de base: | NTGD4167C |
| Email: | [email protected] |
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