NTGD4167CT1G
رقم القطعة:
NTGD4167CT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
53738 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
NTGD4167CT1G.pdf

المقدمة

We can supply NTGD4167CT1G, use the request quote form to request NTGD4167CT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTGD4167CT1G.The price and lead time for NTGD4167CT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTGD4167CT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:6-TSOP
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
السلطة - ماكس:900mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:NTGD4167CT1GOSCT
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:30 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:295pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.5nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.6A, 1.9A
رقم جزء القاعدة:NTGD4167C
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات