État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | SC-70-3 (SOT323) |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
Puissance - Max: | 202mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
Autres noms: | MUN5132T1G-ND MUN5132T1GOSTR |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 15 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Numéro de pièce de base: | MUN51**T |
Email: | [email protected] |